【摘 要】
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设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用
【机 构】
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成都西科微波通讯有限公司,成都嘉纳海威科技有限责任公司
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设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm×17.4mm金属管壳。测试结果显示,该功率放大器在0.35-2GHz超宽频带内可实现:功率增益26dB,输出功率大于40dBm,功率附加效率40%~50%。
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