立方体AgCl微晶中[Fe(CN)6]4-引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

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为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命 .调整相关模拟参数 ,于常温下得到由 [Fe(CN) 6 ]4 - 引入的SETs阱深为0 115eV ,电子俘获截面为 2 136× 10 - 1 7cm2 . In order to describe the generation and decay of photoelectrons in the cubic AgCl microcrystals doped with [Fe (CN) 6] 4 - in the crystal growth stage, a dynamic system composed of three eigenvalues ​​and one shallow electron trap (SETs) And derive a set of differential equations. By solving the differential equations, we get the photoelectron decay curves and their lifetimes in accordance with the experimental results. By adjusting the relevant simulation parameters, we get the SETs introduced by [Fe (CN) 6] 4 - The well depth is 0 115 eV and the electron capture cross section is 2 136 × 10 - 1 7 cm 2.
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