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采用平均场理论下的横场Ising模型，得到同时考虑Ωs≠Ω，Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式。利用所得出的居里温度表达式，分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面赝自旋相互作用和表面隧穿频率的关系，通过分析，得到一些新的由居里温度反映的表面效应信息。
超薄铁电膜的居里温度及表面效应（续）
【摘 要】
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采用平均场理论下的横场Ising模型，得到同时考虑Ωs≠Ω，Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式。利用所得出的居里温度表达式，分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面
【机 构】
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常熟高等专科学校教务处,南京大学物理系
【出 处】
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苏州大学学报(自然科学)
【发表日期】
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2000年4期
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