ZnO／Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ydaf2ut9

【摘要】

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通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变

【作者】

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庄惠照高海永薛成山董志华

【机构】

：

山东师范大学

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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氨化 ZnO/Ga2O3薄膜挥发射频磁控溅射 Ammoniate ZnO/Ga2O3 films volatilization r.f. magnet

【基金项目】

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国家自然科学基金

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通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响.

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