用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zyhui1984

【摘要】

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采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）后的磷化铟（ＩｎＰ）材料进行了分析。ＮＴＤＩｎＰ样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺Ｓｎ的ＩｎＰ样品进行的

【作者】

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【机构】

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武汉大学物理系!武汉430072

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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1999年3期

【关键词】

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【基金项目】

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湖北省自然科学基金

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采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）后的磷化铟（ＩｎＰ）材料进行了分析。ＮＴＤＩｎＰ样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺Ｓｎ的ＩｎＰ样品进行的低温实验也反映出同样的变化规律。文章分析了这一现象，并研究了嬗变后ＩｎＰ样品的退火特性

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