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建立了包括器壁发射二次电子的等离子体无碰撞鞘层的基本模型，讨论了一维稳态等离子体鞘层中二次电子发射对鞘层结构的影响．结果表明：器壁电势随着二次电子发射系数的增加而增加．在发射系数小于临界发射系数时，鞘层电势随发射系数增加而增加，鞘层是离子鞘；在发射系数大于临界系数时，电场出现反转，电势在鞘层空间出现一最小值，鞘层不再是离子鞘．并且就稳态等离子体推进器器壁材料不同，简要分析了二次电子发射给其鞘层带来的影响．