三元Stannide相窄帯隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算

来源 :中国有色金属学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:windlam
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利用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)研究Na2MgSn的电子结构、化学键、弹性和光学性质。能带结构显示Na2MgSn为间接带隙材料,带隙宽度为0.126 eV;态密度和分态密度计算结果表明,费米能级附近的态密度主要来自Na、Mg和Sn 的p态电子;布居分析表明Na2MgSn中的化学键具有以共价性为主的混合离子-共价特征。计算得到Na2MgSn的晶格参数、体模量、剪切模量和单晶的弹性常数,由此导出弹性模量和泊松比。结果表明,Na2MgSn是力学稳定的,且具有一定的脆性。光学函数表明Na2MgSn是好的介电材料,反射谱在6.24~10.29 eV的能量范围内,Na2MgSn是较好的被覆材料。
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