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采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3 基片上的单取向薄膜样品, 分别研究了这些样品的磁电阻效应.研究表明, 在多晶样品中, x=0.3时具有最大的磁电阻比, 其值在240 K和1 T磁场下可达24.2%.对于同一成分的外延薄膜, 发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降, 当Ts=500 ℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%, 随着外