【摘 要】
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我们根据一种结构分块模型,计算了与超导转变温度Tc密切相关的块之间相互作用能,讨论了HgBa2CuO4+δ中载流子分布对相互作用能的影响.通过计算不同氧缺陷下,空穴在不同平面以
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,北京大学物理系
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我们根据一种结构分块模型,计算了与超导转变温度Tc密切相关的块之间相互作用能,讨论了HgBa2CuO4+δ中载流子分布对相互作用能的影响.通过计算不同氧缺陷下,空穴在不同平面以及空穴在Cu-O平面不同位置上对相互作用能的影响,研究了它们与超导电性的关联.计算表明,空穴在Cu-O面上的位置不仅明显地影响到相互作用能的大小,而且影响相互作用能随氧含量的变化趋势,该结果为我们了解载流子在Cu-O面上分布是否均匀提供了一定的线索.结果还表明,HgBa2CuO4+δ中的载流子主要分布在Cu-O平面上.
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