衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hu_411102992

【摘要】

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本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方

【作者】

：

刘红侠郝跃黄涛方建平

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

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2001年11期

【关键词】

：

集成电路衬底热电子增强击穿电荷二氧化硅 Calculations Electron energy levels Energy conservation M

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本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Time dependent dielectric breakdown)模型.

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