论文部分内容阅读
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在多晶硅片上生长Si N_X：H膜,研究了不同沉积压强与Si N_X：H膜折射率和钝化效果的关系。在沉积压强为1.4Torr时,Si N_X：H膜的折射率和钝化效果均达到理想的范围。对于扩散层电阻为80Ω/□、Si N_X：H膜的厚度为（83±2）nm、折射率在2.03时,制得的太阳电池开路电压和短路电流最高,电池效率达到17.8%。