【摘 要】
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重点阐述了使用MEMS工艺将冲击片雷管的金属桥、反射片、飞片和加速膛集成为一体的制造方法.该方法较之2005年报道的硅集成冲击片雷管制造方法有两方面改进:一是采用金属桥替
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,中国工程物理研究院化工材料研究所
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重点阐述了使用MEMS工艺将冲击片雷管的金属桥、反射片、飞片和加速膛集成为一体的制造方法.该方法较之2005年报道的硅集成冲击片雷管制造方法有两方面改进:一是采用金属桥替代多晶硅桥,从而使雷管作用时间缩短到2ms以内;二是使用硅-氧化硅-硅结构(SOI)材料代替单晶硅,从而使硅飞片厚度误差控制在±3mm以内.试验结果表明改进后的金属桥冲击片雷管在3.14kA电流下能够起爆HNS-IV炸药.
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