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闪锌矿Ga1-xAlxN电子结构和光吸收的第一性原理
闪锌矿Ga1-xAlxN电子结构和光吸收的第一性原理
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ldrjordan
【摘 要】
:
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了不同浓度Al(x=0,0.125,0.250,0.375,0.500)掺杂闪锌矿GaN体系的电子结构和光学吸收谱。结果表明:Al掺杂导致系统的晶
【作 者】
:
李振勇
王梅
苏希玉
王亚超
赵伟
【机 构】
:
曲阜师范大学物理工程学院,河南大学特种功能材料教育部重点实验室
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2010年4期
【关键词】
:
闪锌矿
第一性原理
电子结构
吸收谱
blende GaN first-principles electron structure absorption spe
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了不同浓度Al(x=0,0.125,0.250,0.375,0.500)掺杂闪锌矿GaN体系的电子结构和光学吸收谱。结果表明:Al掺杂导致系统的晶格常数减小,禁带宽度增大,吸收谱蓝移,可以达到日盲区紫外线探测器的要求。
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