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提出了一种新型SiGe/Si异质结P-i-N开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.
新型SiGe开关功率二极管的特性分析
【摘 要】
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提出了一种新型SiGe/Si异质结P-i-N开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2002年1期
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