【摘 要】
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叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程度进行了研究。在特定条件下快速热退火处理
【机 构】
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湖北汽车工业学院理学系,孝感学院物理与电子信息学院,天津师范大学物理与电子信息学院
【基金项目】
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基金项目：湖北省优秀中青年科技创新团队（T200805）资助项目
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叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程度进行了研究。在特定条件下快速热退火处理后,光致发光谱显示,在离子注入剂量低于7×10^11/cm2情况下,两个阱的谱峰能保持较好的分离,注入剂量从10^11/cm2增大到10^12/cm2的过程中,两个阱的带隙蓝移值都似乎存在一个极大值,并且在同样的条件下,上阱（发射波长为1.52μm）的带隙蓝移值较下阱（发射波长为1.59μm）大些。当离子注入剂量达到1012/cm
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