【摘 要】
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Nd:YVO4晶体中掺杂的Nd3+除了1.064μm的受激辐射跃迁外,还可产生1.342 μm波段的弱辐射,经腔内倍频,最终可输出671 nm的红色激光.报道了一种光纤耦合半导体激光二极管(LD)阵
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划);
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Nd:YVO4晶体中掺杂的Nd3+除了1.064μm的受激辐射跃迁外,还可产生1.342 μm波段的弱辐射,经腔内倍频,最终可输出671 nm的红色激光.报道了一种光纤耦合半导体激光二极管(LD)阵列端面抽运Nd:YVO4晶体,腔内采用Ⅰ类临界相位匹配LBO(LiB3O5)晶体倍频,实现波长为671 nm的全固态红光激光器瓦级输出的理论分析和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对激光晶体热透镜焦距的估算,用计算机优化设计选取了合适的谐振腔参数,在芯径为400μm的光纤耦合808 nm半导体激光二极管阵列抽运下,当注入功率为8 W时,获得了波长为671 nm的红光基模稳定输出.最高输出功率达1.8 W,光-光转换效率达22.5%.
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