【摘 要】
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设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频
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设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频器采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,射频输入频率范围为50～860MHz.通过Cadence SpectreRF对混频器进行仿真,在1V的工作电压下,取得变频增益约为5.34dB,噪声系数约为21dB,1 dB压缩点约为-3.2dBm、三阶输入交调点约为12dBm,功耗为5mW.在整个射频宽带内,混频器性能参数稍有变化,波动范
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