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通过对碳化硅冶炼炉内温度场的数值模拟，研究了单热源炉与多热源炉温度梯度的分布与演变规律，并采用X衍射对多热源与单热源合成炉中不同部位的合成产品的物相进行了对比分析。研究表明，多热源合成炉内温度场均匀性更好；适合碳化硅生长的高温区域，多热源法要大于Acheson单热源法；多热源合成炉内无高温聚集区，生产更平稳、更安全。