GMRES方法在3-D寄生电容计算中的应用

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luo_yu

【摘要】

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随着VLSI向深亚微米发展、集成电路密度不断提高,互连延迟成了加快器件速度的一个限制因素,由于互连延迟是由金属连线间的电阻及电容所产生的,因此萃取寄生参数的工作更显重

【作者】

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王国章刘战高校良须自明于宗光

【机构】

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江南大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第五十八研究所,中国电子科技集团公司第五十五研究所

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

深亚微米 GMRES SOR 寄生电容 deep submicron GMRES SOR parasitic capacitance

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随着VLSI向深亚微米发展、集成电路密度不断提高,互连延迟成了加快器件速度的一个限制因素,由于互连延迟是由金属连线间的电阻及电容所产生的,因此萃取寄生参数的工作更显重要.文章使用GMRES方法求解了3-D寄生电容分析的复系数线性方程组,并将其与SOR迭代法相比较.这种方法可以降低方程的迭代次数约20%,并明显减少了方程的求解时间.

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