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本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况，这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面外延，有望克服这一物理现象，使发光效率提高。