【摘 要】
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以半导体材料InSb为研究对象,利用有效质量近似方法,分别研究了在强弱电场下含有两个电子的量子点中的能级移动。首先,利用微扰法计算了库仑相互作用所引起的能量变化ΔE,计
【机 构】
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重庆大学数理学院物理系和凝聚态物理研究所
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以半导体材料InSb为研究对象,利用有效质量近似方法,分别研究了在强弱电场下含有两个电子的量子点中的能级移动。首先,利用微扰法计算了库仑相互作用所引起的能量变化ΔE,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动ΔE1,并研究了ΔE1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,用解薛定谔方程的方法求出了能量变化ΔE2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,在此基础上利用非线性光学知识研究了强电场作用下微观电极化率χ是随着L的增加而增大的。
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