【摘 要】
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采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷.实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳.在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度
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采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷.实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳.在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.结果表明,在合成温度为860℃时可得到钙钛矿结构.烧结温度1 260℃保温3h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料.主要参数为:εT33/ε0=1390,tanδ=0.32%,d33=303 pC/N,kp=55.1%,Qm=1 180.定量Sr2+、Ba2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,εT33/ε0=1 162,tanδ=0.30%,d33=307 pC/N,kp=56.8%,Qm=1 230.
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