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20世纪80年代中期出现了通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件-绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）。它是一种复合器件,其输入控制部分为功率场效应晶体管（MOSFET）,输出级为双级结型三极晶体管;因此兼有MOSFET和电力晶体管的特点：输入阻抗高、
IGBT在高频X线机上的应用
【摘 要】
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20世纪80年代中期出现了通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件-绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）。它是一种复合器件,其输入控制部分为功率场效应晶体管（MOSFET）,输出级为双级
【机 构】
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广西壮族自治区人民医院
【出 处】
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中国社区医师(医学专业)
【发表日期】
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2013年8期
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