【摘 要】
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为了观察GIS内部绝缘子表面固定金属颗粒放电的发展过程，在252kVGIS中设置绝缘子表面固定金属颗粒缺陷，采用长时间逐步升压法使放电起始、发展直至沿面闪络。在放电发展过程中
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划2009CB724508)
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为了观察GIS内部绝缘子表面固定金属颗粒放电的发展过程，在252kVGIS中设置绝缘子表面固定金属颗粒缺陷，采用长时间逐步升压法使放电起始、发展直至沿面闪络。在放电发展过程中采用脉冲电流法实时监测局部放电的脉冲，统计形成表面固定金属颗粒局部放电发展过程中不同阶段的N-Ф谱图、Vmax-Ф谱图以及Vave-Ф谱图。实验结果表明：随着放电的发展，局部放电的谱图出现变化，产生一些相应的特征：在放电发展中期，N-Ф谱图的负半波会呈现双峰结构，在相位250°附近会出现幅值较大、次数较多的放电，并在338&
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