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本发明公开了一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在PECVD设备中生长制备，产品的晶粒大小为d=（2—6）纳米，晶态体积百分比Xc=（53±5）％，薄膜最高电导率为σn=30Ω^-1·cm^-1，薄膜中电子迁移率为p=（3-10）cm^2／（V·s）。用本发明的方法不仅使其电导率提高到几十Ω^-1·cm^-1还能控制其导电类型（n型或P型），已基本上能满足研制纳米硅器件的需要．