APT40GRl20B／S／B2D30：NPTlGBT

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xgw111

【摘要】

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美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non。punchthrough，NPT）IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低。美高森美新的分立元

【出处】

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世界电子元器件

【发表日期】

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2012年7期

【关键词】

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B/S 非穿通型 IGBT 导通损耗分立元件产品器件

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美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non。punchthrough，NPT）IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低。美高森美新的分立元件产品包括APT40GRl20B、APT40GRl20S和APT40GRl2082D30。这些器件可以单独提供，

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