【摘 要】
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采用屏蔽包层第一壁制作工艺对不同状态的CuCrZr合金进行处理,通过室温力学性能和微观组织的分析,获得了适合ITER结构设计的CuCrZr合金。结果显示:经1040℃/150MPaHIP后合金
【机 构】
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中国工程物理研究院核工业西南物理研究院中国工程物理研究院绵阳
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采用屏蔽包层第一壁制作工艺对不同状态的CuCrZr合金进行处理,通过室温力学性能和微观组织的分析,获得了适合ITER结构设计的CuCrZr合金。结果显示:经1040℃/150MPaHIP后合金强度降低,热处理后性能得到恢复;580℃/145MPaHIP代替时效处理过程,合金强度下降不大,锻造态EU-Cu晶粒细小,而热轧态SY-Cu晶粒显得异常粗大,能实现时效效果的同时恢复铜合金的硬度,最终表明了锻造态EU-Cu较适合用来在580℃/150MPaHIP进行扩散连接。
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