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提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术；这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀，完全兼容于CMOS工艺；应用于双层铝布线，实现了最大厚度达到6μm的顶层铝，显著地减小了螺旋电感的串联电阻，提高了品质因数；该技术同高阻SOI衬底技术相结合，制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8．6。