论文部分内容阅读
从化学镀钯反应机理入手，分析了影响化学镀钯质量的工艺参数，并运用DOE（试验设计）中的健壮设计实验方法，对这些参数进行了优化，获得了新型ENEPIG（化学镀镍、钯与浸金）印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数：氯化钯质量浓度2．2g／L，次磷酸钠质量浓度13．2g／L，氨水体积分数165mL／L，温度55℃，pH9．6，氯化铵质量浓度33g／L。验证试验表明，应用优化后的化学镀钯工艺时，钯的沉积速率均值从原来的0．64mg／（cm^2·min）提升到4．83mg／（cm^2·min）