氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong514

【摘要】

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研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄

【作者】

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叶超宁兆元程珊华辛煜许圣华

【机构】

：

苏州大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

氟化非晶碳(α-C:F)薄膜介电色散键结构 Carbon Dielectric properties Electron cyclotron resonanc

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研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.

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