D-D中子源产额的大角度伴随质子监测技术研究

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:phenix519
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利用伴随质子法对D-D源中子产额进行了监测,选择了双叉管靶室和三叉管靶室,在与入射D+束成90°、135°和178.2°的三个方向上,获得了伴随质子谱和中子产额,确定了进行准确的产额监测的实验条件,实验表明在大角度方向(178.2°)进行产额监测是可行性的。对实验结果及其不确定度进行了分析和讨论。
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