硅、锗材料在Si（100）表面的生长研究

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【摘要】

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利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究.分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质.研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳

【作者】

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汪雷唐景昌杨德仁王学森胡艳芳

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室,香港科技大学物理系

【出处】

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真空科学与技术

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

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锗硅扫描隧道显微镜半导体材料表面生长半导体薄膜结构 GermaniumScanning tunneling microscopySiliconSur

【基金项目】

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国家自然科学基金

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利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究.分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质.研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜.Ge在Si(100)表面生长形成规则的三维小岛.而在Si/Ge/Si(100)多层膜上生长则形成大小二种三维岛.研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构.

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