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采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管（RTD），通过离子注入将器件之间进行隔离，避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点，并且表现出良好的I-V特性，峰谷电流比为3．4．通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成．
平面型共振隧穿二极管的制作
【摘 要】
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采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管（RTD），通过离子注入将器件之间进行隔离，避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点，并且表现出良好的I-V特性，峰谷
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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纳米技术与精密工程
【发表日期】
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2007年3期
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