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在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上，选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验，研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜电阻率的影响。研究结果表明：基底温度是影响薄膜电阻率的最主要因素，电阻率随着基底温度的升高而减小；在工艺条件为基底温度200℃、靶基距45mm、溅射功率100W、工作气压0．5Pa时，所制薄膜的电阻率将会达到最小。最后，结合薄膜微观形貌对试验结论进行了分析，并对最佳工艺条件进行了实验验证。