SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ye14382163

【摘要】

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利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析

【作者】

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蒲红斌陈治明

【机构】

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西安理工大学电子工程系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年z1期

【关键词】

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SIC 光控达林顿晶体管异质结功率开关

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(批准号:60376011)

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利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.

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