从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性

来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：bulocom

【摘要】

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用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄

【作者】

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冯文修张恒陈蒲生田浦延

【机构】

：

华南理工大学

【出处】

：

华南理工大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

：

快速热氮化超薄SiO2膜电流传输特性 rapid thermal nitridation ultrathin SiO2 film currenttran

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用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I-E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表

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