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合成三氯氢硅深冷过程的计算及影响因素
合成三氯氢硅深冷过程的计算及影响因素
来源 :有色冶金节能 | 被引量 : 0次 | 上传用户:boyhill
【摘 要】
:
分别运用SRK状态方程和PR状态方程对三氯氢硅合成系统中压缩前后深冷的物料量进行了计算,并与实际检测结果进行比较,结果表明SRK方程和PR方程的计算结果均与实际检测结果相符合
【作 者】
:
张超
【机 构】
:
中国恩菲工程技术有限公司
【出 处】
:
有色冶金节能
【发表日期】
:
2010年6期
【关键词】
:
三氯氢硅合成
深冷计算
影响因素
synthetic trichlorosilane
deep cooling
calculation
influent
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分别运用SRK状态方程和PR状态方程对三氯氢硅合成系统中压缩前后深冷的物料量进行了计算,并与实际检测结果进行比较,结果表明SRK方程和PR方程的计算结果均与实际检测结果相符合,可以用于压缩前后深冷的计算;通过计算得出,提高系统压力以及提高氯化氢气体的纯度均有利于氯硅烷的冷凝。
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