Ta-Si-N/Ti双层结构扩散阻挡层的制备与表征

来源 :哈尔滨轴承 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zm850311

【摘要】

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采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Ta-Si-N(10nm)/Ti(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Ti/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1小时。通过四

【作者】

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邓鹏远瞿金凤

【机构】

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哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,哈尔滨轴承集团公司通用轴承公司

【出处】

：

哈尔滨轴承

【发表日期】

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2013年02期

【关键词】

：

Ta-Si-N/Ti 扩散阻挡层 Cu互连射频磁控溅射

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采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Ta-Si-N(10nm)/Ti(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Ti/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1小时。通过四探针电阻测试仪(FPP)、SEM、XRD研究了Cu/Ta-Si-N/Ti/Si系统在退火过程中的热稳定性。研究结果表明:沉积到Ti膜上的Ta-Si-N膜为非晶态结构;Cu/Ta-Si-N/Ti/Si样品700℃以上退火后Ti原子扩散到Si中形成的TiSi2能有效地降低Ta-Si-N与Si之间的接触电阻;Ta-Si-N/Ti阻挡层750℃退火后仍能有效地阻止Cu的扩散。

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