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根据感应耦合等离子（Inductively coupled plasma，ICP）刻蚀的机理，针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点，研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响，包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作，其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构，并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性，此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸粱制作。