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我们采用蒙特卡洛方法模拟了100keV电子通过W/Cr/Si3 N4掩膜的透射率.发现在此高能量下,电子弹性散射的Mott截面与经典的Rutherford截面仍有较大差异.由于这两种总截面和小角散射的微分截面不同,因此采用何种截面将直接影响限角散射电子束投影成像的模拟结果.本文通过比较电子透射的实验测量和模拟计算结果,确认了使用Mott截面的必要性.