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<正>南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0.18 nm SOI CMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片,包括1~1.7 GHz有源下混频器、0.7~4 GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器,芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器,混频器以及中频放大器;X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T/R组件的关键问题。