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采用直流热阴极PCVD技术，经过生长温度的周期性调整，达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的，实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段，沉积时间为15min，刻蚀时间为5min，生长周期为20min，总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析，结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明，在高甲烷浓度条件下，直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分，实现正常放电激励，维持正常生长，制备出纳米金刚石膜。