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从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发射区/基区/集电区设计.最后,以一个100 GHz fmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论.
SiGeHBT的速度优化设计
【摘 要】
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从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发射区/基区/集电区设计.最后,以一个100 GHz f
【机 构】
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中国电子科技集团公司,模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年6期
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