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介绍了碳化硅晶片双面研磨过程中研磨液悬浮性对晶片去除速率的影响;通过在研磨液中加入不同质量百分比的悬浮剂进行碳化硅双面研磨的对比试验,确定了在研磨液中加入适当比例的悬浮剂能有效地加快晶片去除速率,对研磨生产工艺具有现实的指导意义。
研磨液悬浮性对SiC晶片加工质量影响的研究
【摘 要】
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介绍了碳化硅晶片双面研磨过程中研磨液悬浮性对晶片去除速率的影响;通过在研磨液中加入不同质量百分比的悬浮剂进行碳化硅双面研磨的对比试验,确定了在研磨液中加入适当比例
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2020年3期
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