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研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题.实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题.
硅的深槽刻蚀技术研究
【摘 要】
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研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题.实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过
【机 构】
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解放军后勤工程学院,模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年1期
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