【摘 要】
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根据半导体桥的点火机理，设计了电容充放电式点火电路，采用了绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为充放电过程的开关器件，对电容充放电过程的数学模型进行了建立，并对电路参数的选择进行了详
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根据半导体桥的点火机理，设计了电容充放电式点火电路，采用了绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为充放电过程的开关器件，对电容充放电过程的数学模型进行了建立，并对电路参数的选择进行了详细的介绍。对所设计的电路进行了仿真，通过分析电路中各参数对半导体桥点火性能的具体影响，得出了对点火性能产生影响的主要因素。输出的仿真结果证明，该电路的设计可以安全有效地实现半导体桥点火，为今后做进一步的电路设计和研究奠定了一定的基础。
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