【摘 要】
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通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯, 并用热挤压成型方法制得卤化银光纤. 本文研究了卤化银原料的提纯
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
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通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯, 并用热挤压成型方法制得卤化银光纤. 本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明, 增加提纯次数可降低卤化银光纤预制棒的吸收系数. 通过合理控制工艺参数,提纯后的卤化银原料制成的光纤预制棒, 经CO2激光量热计法测量在10.6μm处的吸收系数20W.
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