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为了获得高质量4H-SiC外延材料，研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统，在偏晶向的4H-SiC：Si(0001)晶面衬底上，利用“台阶控制生长”技术进行了4H-SiC的同质外延生长，典型生长温度和压力分别为1500℃和1-3×10^3Pa，生长速率控制在1．0gm／h左右．采用Nomarski光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、Raman散射以及低温光致发光测试技术，研究了4H-SiC的表面形貌、结构和光学特性以及用NH3作为n型掺杂剂的4