【摘 要】
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研究了在125℃,1×103 A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn63Pb37/Cu BGA焊点界面反应的影响.回流后,在焊料/Ni界面处形成Ni3Sn4、在焊料/Cu界面处形成Cu6Sn5的金属间化合物.随着电迁
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研究了在125℃,1×103 A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn63Pb37/Cu BGA焊点界面反应的影响.回流后,在焊料/Ni界面处形成Ni3Sn4、在焊料/Cu界面处形成Cu6Sn5的金属间化合物.随着电迁移时间增加,芯片侧金属间化合物转变为(Cu,Ni)6Sn5类型化合物,印制板侧Cu6Sn5金属间化合物类型保持不变.电迁移过程中,阳极侧IMC厚度随电迁移时间增加而增加,界面反应为扩散控制,同一侧界面阳极侧IMC厚度大于阴极侧IMC厚度.阴极界面的生长规律较阳极侧复杂,初始阶段界面IMC的厚度较小,界面IMC随电迁移时间的增加而增厚;当界面的厚度达到一定值后,界面IMC的厚度随电迁移时间的增加而减小.
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