含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

来源 :华侨大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：netbaby

【摘要】

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采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜．通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制，并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅．利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平

【作者】

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林赏心郭亨群

【机构】

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华侨大学信息科学与工程学院

【出处】

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华侨大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2006年1期

【关键词】

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磁控溅射纳米硅光致发光量子限制效应 magnetron sputtering nano silicon particles photoluminesc

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目（60336010）

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采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜．通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制，并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅．利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径；对样品测量光致发光谱，其发光峰分别位于361nm和430nm，比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移．文中对发光机理进行初步讨论．

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